Per a la fabricació de dispositius avançats de semiconductors, cadascun després d'un procés, la superfície de la hòstia de silici serà més o menys la presència de contaminants en partícules, residus metàl·lics o residus orgànics, etc., la mida del dispositiu de la mida cada vegada més reduïda i tridimensional. Estructura del dispositiu de la complexitat creixent del dispositiu semiconductor sobre la contaminació de partícules, la concentració d'impureses i el nombre de cada vegada més sensibles.
A la màscara d'hòstia de silici a la superfície de les partícules de contaminació de la tecnologia de neteja es planteja requisits més alts, el punt clau és superar la contaminació de les micropartícules i el substrat entre la gran adsorció, molts fabricants de semiconductors dels mètodes de neteja actuals són rentat àcid, neteja manual, per no parlar de l'eficiència del lent, però també produeix contaminació secundària. Quin tipus de mètode de neteja és més adequat per netejar productes semiconductors? Actualment, la neteja amb làser és més adequada per a una manera, quan el làser escaneja el passat, s'elimina la brutícia de la superfície del material, i perquè el buit de la brutícia es pot eliminar fàcilment, no rascarà la superfície del material i no produirà secundaris. contaminació, és una opció assegurada.
Amb la mida del dispositiu de circuit integrat continua reduint-se, el procés de neteja de la pèrdua de material i la rugositat de la superfície s'ha convertit en una preocupació imprescindible, les partícules s'eliminaran sense pèrdua de material i els danys gràfics són els requisits més bàsics, la tecnologia de neteja làser no té contacte, cap efecte tèrmic, no produirà danys a la superfície de l'objecte a netejar i no produirà contaminació secundària dels mètodes de neteja tradicionals no es pot comparar amb els avantatges de la solució a la. És el millor mètode de neteja per resoldre la contaminació de dispositius semiconductors.
